来源：电纺期刊

In₂O₃ 作为一种典型的N 型半导体材料，具有一个较宽的直接带隙（3.75eV）和一个间接带隙（2.62eV）。由于In₂O₃ 具有较高的电导率、化学稳定性和较低的电子亲和力，使In₂O₃ 在半导体传感器、平板显示器、太阳能转化等微电子领域表现出极大的应用前景。

据相关文献报道，In₂O₃ 的微观尺寸、形貌和结构特点对In₂O₃ 半导体器件的性能有着重要影响。特别是对于气体传感器，其性能与氧化铟的有效表面区域和孔隙率有着极大的关系。对于检测低浓度状态下的汽油、酒精、氨气、丁烷等有害气体方面，基于氧化铟材料的气体传感器有着*的灵敏度。

例如，直径为60nm 的In₂O₃ 纤维对乙醇具有快速响应/恢复能力，可用来制作高性能气敏传感器；掺杂Pd 的In₂O₃ 纳米纤维对于乙醇的响应信号明显特高，检测下限低至1ppm；通过Ag 和Pt 的掺杂，In₂O₃ 电纺纤维可对甲醛和H₂S显示出良好的响应和选择性，在有毒气体的检测方面有潜在的应用。

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